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MB85R1001A
■ BLOCK DIAGRAM
A0
FRAM Array
131,072 x 8
A16
int W E
Col u mn Decoder
S/A
CE2
CE1
W E
OE
■ FUNCTIONAL TRUTH TABLE
intOE
I/O1 to I/O 8
I/O 8
I/O1
Operation Mode
CE1
CE2
WE
OE
I/O 1 to I/O 8
Supply Current
H
X
X
X
Standby Precharge
X
L
X
X
Hi-Z
Standby
(I SB )
X
X
H
H
H
Read
L
H
L
Data Output
Read
(Pseudo-SRAM, OE control* 1 )
L
H
H
Operation
H
(I CC )
Write
L
L
H
Data Input
Write
(Pseudo-SRAM, WE control* 2 )
L
H
H
Note: L = V IL , H = V IH , X can be either V IL or V IH , Hi-Z = High Impedance
: Latch address and latch data at falling edge, : Latch address and latch data at rising edge
*1 : OE control of the Pseudo-SRAM means the valid address at the falling edge of OE to read.
*2 : WE control of the Pseudo-SRAM means the valid address and data at the falling edge of WE to write.
DS501-00003-1v0-E
3
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